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研究開発

東電化工業株式会社は、研究開発にも力を入れています。
難めっき材料へのめっき等、新しいものに挑戦し、お客様のニーズに幅広くお応えできる「提案型企業」を目指しております。

セラミック基板へのめっき

■ペースト上への無電解めっき

  • ・セラミック上のペースト(Ag/Cu)上のパターンに、
    無電解めっきを施す事が可能です。
  • ・各ペーストのワイヤーボンディング性の向上が可能です。
  • ・無電解めっき法により、厚みのバラツキが改善されます。
  • ・弊社独自のめっきプロセスにより、接合信頼性の高いめっきが可能です。
  • ・弊社独自のめっきプロセスにより、
    レーザスクライブ等へのめっき析出はありません。

めっき仕様は
各種組み合わせが可能
無電解Niめっき 2.0~8.0μm
無電解Pdめっき 0.05~0.4μm
無電解Auめっき 0.1~0.3μm

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セラミックへのメタライズ

■ウェットプロセス(開発中)

  • ・酸化アルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素のCuメタライズを研究開発中です。
  • ・無電解Ni、無電解Cu、複合めっきにより、密着性を確保する研究開発中です。
  • ・最終Cuめっき厚は、1~20μm(20μm以上は要相談)
  • ・材料によっては、密着性が得られない場合がありますので、協議の上試作致します。
《窒化ケイ素上のCuメタライズの事例》

窒化ケイ素上のCuメタライズの事例

《セラミックにメタライズし、無電解Auめっきした事例》

セラミックにメタライズし、無電解Auめっきした事例

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難めっき材料へのめっき

■セラミックへのダイレクトめっき

  • ・酸化アルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素へダイレクトでめっき試作可能です。
  • ・下記事例では、セラミック上に直接NiAuめっきした事例で、セラミックの特性を生かしながら、電気特性が得られます。
  • ・材料によっては、密着性が得られない場合がありますので、協議の上試作致します。
《セラミック粉末に直接めっきした事例》

セラミックへのダイレクトめっき

■Agロウへの無電解NiPdAgめっき

  • ・弊社独自のプロセスで、Agロウへ素地を痛めず直接無電解NiPdAgめっきをすることが可能です。
  • ・Agロウの特性を活かしたまま、NiPdAgめっきを施すことにより、
    半田付け性向上やボンディング性の確保が可能です。

Agロウへの無電解NiPdAgめっき

■Mo材、CuWへの直接Niめっき

  • ・難素材、Mo材、CuWへのめっきが可能です。
  • ・Mo、CuWへNiめっきすることにより、半田付け、ロウ付けすることが可能です。

Mo材、CuWへの直接Niめっき

■樹脂へのCuめっき/Ni-Bめっき

  • ・ABS樹脂へのダイレクトめっきが可能です。
  • ・めっきを施すことで、耐熱性/耐食性を付与、熱変形や紫外線での損傷を抑えることが出来、又、キズにも強くなります。
  • ・金属光沢の美しい外観になります。

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LED基板へのめっき

■LED向けNiAgめっき、NiAuめっき

  • ・Agめっきは反射特性に優れています。
  • ・Auめっきは、反射特性は悪いですが、変色しにくく耐久性が高いです。
  • ・各種特性を考慮し、プロセスのご提案が可能です。
  • ・どちらも自動機での量産が可能です。

LED向けNiAgめっき、NiAuめっき

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お問い合わせ

興味のある方は、下記担当窓口までご連絡ください。

担当 品質技術部 和合谷 繁満
TEL (代表)018-892-3411
Mail shigemitsu_wagouya@azumadenka.co.jp