東電化工業株式会社は、研究開発にも力を入れています。
難めっき材料へのめっき等、新しいものに挑戦し、お客様のニーズに幅広くお応えできる「提案型企業」を目指しております。
セラミックへのメタライズ
■ウェットプロセス（開発中）
- ・酸化アルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素のCuメタライズを研究開発中です。
- ・無電解Ni、無電解Cu、複合めっきにより、密着性を確保する研究開発中です。
- ・最終Cuめっき厚は、1～20μm（20μm以上は要相談）
- ・材料によっては、密着性が得られない場合がありますので、協議の上試作致します。
《窒化ケイ素上のCuメタライズの事例》
《セラミックにメタライズし、無電解Auめっきした事例》
難めっき材料へのめっき
■セラミックへのダイレクトめっき
- ・酸化アルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素へダイレクトでめっき試作可能です。
- ・下記事例では、セラミック上に直接NiAuめっきした事例で、セラミックの特性を生かしながら、電気特性が得られます。
- ・材料によっては、密着性が得られない場合がありますので、協議の上試作致します。
《セラミック粉末に直接めっきした事例》
■Agロウへの無電解NiPdAgめっき
- ・弊社独自のプロセスで、Agロウへ素地を痛めず直接無電解NiPdAgめっきをすることが可能です。
- ・Agロウの特性を活かしたまま、NiPdAgめっきを施すことにより、
半田付け性向上やボンディング性の確保が可能です。
LED基板へのめっき
■LED向けNiAgめっき、NiAuめっき
- ・Agめっきは反射特性に優れています。
- ・Auめっきは、反射特性は悪いですが、変色しにくく耐久性が高いです。
- ・各種特性を考慮し、プロセスのご提案が可能です。
基板へのスクリーン印刷
- ・ガラスエポキシ基板やセラミックス基板へCuインクを使用した回路形成が可能です。
（現行L/S＝100/100程度まで対応可能） - ・それぞれの材質に適したCuインクのマッチングを行っております。
（インクは200℃以下で定着化できるものを選定中）
お問い合わせ
興味のある方は、下記担当窓口までご連絡ください。
| 担当 | 技術部 和合谷 繁満 |
|---|---|
| TEL | (代表)018-892-3411 |